N-Channel MOSFET, 3.5 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K361R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012776285
- Артикул
- SSM3K361R
- Бренд
- Toshiba
- RoHS
- Details
- Brand
- Toshiba
- Width
- 1.8mm
- Height
- 0.9 mm
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Переключатели управления питанием DC-DC преобразователи на 175 МОП-транзистораx напряжением 4,5 В с низким сопротивлением включения источника питания RDS (ON) = 65 Мом (тип.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Toshiba |
| Width | 1.8mm |
| Height | 0.9 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | SSM3K36 |
| Product | MOSFETs |
| Fall Time | 9 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 7 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 3 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Toshiba |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.2 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Pd - Power Dissipation | 1.2 W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 92 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 92 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |