SSM3K35AMFV,L3F, 20V 250mA 500mW 1.1Ohm@4.5V,150mA 1V@100uA N Channel SOT-723 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601876
- Артикул
- SSM3K35AMFV,L3F
- Бренд
- Toshiba
- Brand
- Toshiba
- Series
- SSM3K35AM
- Fall Time
- 5.5 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Series | SSM3K35AM |
| Fall Time | 5.5 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 2 ns |
| Tradename | U-MOSIII |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Toshiba |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SOT-723 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VESM-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 340 pC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 6.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 250 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Forward Transconductance - Min | 0.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 750 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 350 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1Ом |