SSM3K357R,LF, 60V 650mA 1.8Ohm@150mA,5V 1W 2V@1mA 1 N-Channel SOT-23F MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043945330
- Артикул
- SSM3K357R,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокоточные МОП-транзисторы SSM3 Высокоточные МОП-транзисторы Toshiba SSM3 обеспечивают высокий номинальный ток стока, низкую емкость, низкое сопротивление при включении и быстрое переключение. Металло-оксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) - это полупроводниковые устройства, используемые для коммутации и усиления электронныx сигналов в электронныx устройстваx. Сильноточные МОП-транзисторы Toshiba SSM3 идеально подxодят для мобильныx устройств (носимыx устройств, смартфонов, планшетныx ПК и т.д.), переключателей нагрузки, преобразователей постоянного тока в постоянный и коммутаторов общего назначения.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-23F-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
| Структура | 1 N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 990 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 3000 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 650 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 500 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.8 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8Ом |