Моя заявка (0)

SSM3K344R,LF, 20V 3A 1W 71mOhm@4.5V,3A 1V@1mA N Channel SOT-23F MOSFETs

SSM3K344R,LF, 20V 3A 1W 71mOhm@4.5V,3A 1V@1mA N Channel SOT-23F MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017601668
Артикул
SSM3K344R,LF
Бренд
Toshiba
Type
1PCSNChannel
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.04
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

20 В 3 А 1 Вт 71mOhm@4.5V,3 А 1 В при 1 мА 1 шт. канальные МОП-транзисторы SOT-23F, соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:Toshiba
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOT-23F-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:2 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)1W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)2nC@4V
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)153pF@10V
Typical Turn-Off Delay Time:39 ns
Continuous Drain Current (Id)3A
Id - Continuous Drain Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:51 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:400 mV
Пороговое напряжение на затворе1V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)71mΩ@4.5V, 3A

Техническая документация