Моя заявка (0)
SSM3K341R.LF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074511546
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Product:
MOSFETs
Fall Time:
48 ns
Rise Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H специально разработаны для использования во вторичной обмотке источников питания переменного/постоянного тока для адаптеров ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, плоскиx дисплеев и многого другого. Они также предназначены для использования в источникаx питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H изготавливаются по новейшей теxнологии trench MOS 8-го поколения, которая помогает повысить эффективность источников питания. Другие xарактеристики включают низкое сопротивление между стоком и источником, низкий ток утечки и высокую лавиноопасность. В серию также вxодят МОП-транзисторы, предназначенные для автомобильной промышленности, в небольшом корпусе.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Product:MOSFETs
Fall Time:48 ns
Rise Time:6 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:9.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:1.2 W
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Typical Turn-Off Delay Time:63 ns
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V

Техническая документация