Моя заявка (0)

SSM3K336R.LF, 30V 3A 67-@10V,2A 2W 2.5V@0.1mA 8pF@15V N Channel 126pF@15V 1.7nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs

SSM3K336R.LF, 30V 3A 67-@10V,2A 2W 2.5V@0.1mA 8pF@15V N Channel 126pF@15V 1.7nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015787977
Артикул
SSM3K336R.LF
Бренд
Toshiba
Type
N Channel
Brand:
Toshiba
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 31 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 3 А 67 Ом при 10 В, 2 А 2 Вт 2.5V@0.1mA N-канальные МОП-транзисторы SOT-23-3 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Brand:Toshiba
Fall Time:8 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:7 ns
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-23-3
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOT-23F-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)2W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)1.7nC@4.5V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)126pF@15V
Typical Turn-Off Delay Time:8 ns
Continuous Drain Current (Id)3A
Id - Continuous Drain Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:95 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)8pF@15V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@0.1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)67Ω@10V, 2A

Техническая документация