SSM3K329R,LF, 30V 3.5A 126mOhm@4V,1A 1W 1V@1mA N Channel SOT-23F MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601866
- Артикул
- SSM3K329R,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- SSM3K329
- Tradename:
- U-MOSIII
- Вес, г
- 0.04
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIII МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы, которые идеально подxодят для высокоскоростной коммутации. Эти МОП-транзисторы обладают низким сопротивлением стока к источнику и низковольтным приводом затвора.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | SSM3K329 |
| Tradename: | U-MOSIII |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23F-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.1 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 126 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 126мОм |