SSM3K324R,LF(B, Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002420365
- Артикул
- SSM3K324R,LF(B
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Category
- Power MOSFET
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 900 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный МОП-транзистор N-CH Si 30V 4A с 3-контактным разъемом SOT-23F
Технические параметры
| PPAP | No |
| Category | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.8 |
| Package Length | 2.9 |
| Supplier Package | SOT-23F |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.2@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±12 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 200@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 56@4.5V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |