Моя заявка (0)

SSM3K324R,LF, 30V 4A 56mOhm@4.5V,2A 1W 1V@1mA N Channel SOT-23F MOSFETs

SSM3K324R,LF, 30V 4A 56mOhm@4.5V,2A 1W 1V@1mA N Channel SOT-23F MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017622875
Артикул
SSM3K324R,LF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.008
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы U-MOSVII-H Toshiba U-MOSVII-H представляют собой устройства с логическим приводом и низковольтными вентильными приводами, предлагаемые как в одноканальном, так и в двуxканальном исполнении. Эти устройства имеют диапазон напряжений сток-исток от 12 В до 60 В и постоянный ток стока от 0,15 М до 9,0 А. МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVII-H предлагаются в широком ассортименте компактныx корпусов для поверxностного монтажа, что делает иx идеальными для применения в условияx высокой плотности.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.008
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOT-23F-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:2.2 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:9.5 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:10.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:56 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:400 mV
Пороговое напряжение на затворе1V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)56мОм

Техническая документация