SSM3K2615TU,LF(T, Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 3-Pin UFM T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023464318
- Артикул
- SSM3K2615TU,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 290 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 60V 2A с 3-контактным разъемом UFM T/R
Технические параметры
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.7 |
| Package Length | 2 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | UFM |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 50 |
| Typical Rise Time (ns) | 25 |
| Особенности | - |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1600 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 150@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 300@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |