SSM3K2615TU,LF, 60V 2A 800mW 2V 1 N-Channel SMD-3P MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048222355
- Артикул
- SSM3K2615TU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- SSM3K2615TU
- Fall Time:
- 50 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSV-МОП-транзисторы MOSV-МОП-транзисторы Toshiba - это N-канальные МОП-транзисторы, предлагаемые в вариантаx с логическим вентильным приводом и низковольтным вентильным приводом. Эти устройства обеспечивают напряжение пробоя сток-исток (VDSВ) в диапазоне от 50 В до 60 В, а напряжение затвор-исток (VGSВ) в диапазоне от 4 В до 20 В. Эти устройства предлагаются в корпусаx UFM, UF6, TSOP6F и SOT-23F для обеспечения гибкости конструкции.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | SSM3K2615TU |
| Fall Time: | 50 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 25 ns |
| Tradename: | MOSV |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | UFM-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |