SSM3K16CT,L3F, Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002331064
- Артикул
- SSM3K16CT,L3F
- Бренд
- Toshiba
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±10V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 560 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 20 В 100 мА (Ta) 100 МВт (Ta) для поверxностного монтажа CST3
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | 150°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 100mW(Ta) |
| Supplier Device Package | CST3 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3 pF @ 3 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA(Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |