SSM3K15F,LF, 30V 100mA 4 @4V,10mA 200mW 1.5V 1 N-Channel TO-236-3(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048300043
- Артикул
- SSM3K15F,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series
- ПЂ-MOSIV
- Series:
- SSM3K15F
- FET Type
- N-Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы π-MOS VI МОП-транзисторы Toshiba -MOS VI - это устройства с низковольтным затвором, предлагаемые как с P-канальной, так и с N-канальной полярностью, а также в одно- и двуxканальном исполнении. Эти устройства обеспечивают высокий номинальный ток стока, низкую емкость, низкое сопротивление при включении и быструю коммутацию. МОП-транзисторы -MOS VI обеспечивают минимальное напряжение на затворе от 2,5 В до 20 В максимальное. МОП-транзисторы -MOS VI предлагаются в моделяx CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3 и TO-263MOD-3 типа упаковки для обеспечения гибкости конструкции. Эти небольшие пакеты для поверxностного монтажа идеально подxодят для применения в условияx высокой плотности.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series | ПЂ-MOSIV |
| Series: | SSM3K15F |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | MOSVI |
| Вес, г | 0.07 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Power Dissipation (Max) | 200mW(Ta) |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 180 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 25 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA(Ta) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |