SSM3K15AFU,LF, 30V 100mA 3.6Ohm@4V,10mA 150mW 1.5V@100uA N Channel SC-70-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601656
- Артикул
- SSM3K15AFU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIII Toshiba U-MOSIII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы, которые идеально подxодят для высокоскоростной коммутации. Эти МОП-транзисторы Toshiba обладают низким сопротивлением стока к источнику и низковольтным приводом затвора.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 100uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.6О© @ 10mA,4V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 Ohms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 150mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 100mA |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.6Ом |