SSM3K15ACTC.L3F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070661278
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Серия
- SSM3K15ACTC
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | SSM3K15ACTC |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | CST3-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Коммерческое обозначение | U-MOSIII |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 mS |