SSM3K15ACT,L3F, Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002219376
- Артикул
- SSM3K15ACT,L3F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Длина
- 1 mm
- Серия
- SSM3K15
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 4200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | SSM3K15 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 0.38 mm |
| Ширина | 0.6 mm |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | CST3-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | CST3-3 |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.155 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.6 Ohms |