Моя заявка (0)

SSM3K131TU,LF, MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package

SSM3K131TU,LF, MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066164522
Артикул
SSM3K131TU,LF
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.01
Серия
SSM3K131T
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 260 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package

Технические параметры

Вес, г0.01
СерияSSM3K131T
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокUFM-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора10.1 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности800 mW
Id - непрерывный ток утечки6 A
Коммерческое обозначениеU-MOSIV
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток27.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения15 ns
Типичное время задержки при включении21 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V

Техническая документация