SSM3K123TU,LF(T, Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002323577
- Артикул
- SSM3K123TU,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- Type
- Small Signal
- Series
- U-MOSIII
- FET Type
- N-Channel
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-ТРАНЗИСТОР N-CH 20V 4.2A UFM
Технические параметры
| Type | Small Signal |
| Series | U-MOSIII |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package Type | UFM |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
| Power Dissipation | 0.8(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 20(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 4V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Supplier Device Package | UFM |
| Continuous Drain Current | 4.2(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±10(V) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.6nC @ 4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drain Source On State Resistance | 0.019Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 10V |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Непрерывный Ток Стока | 4.2А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.2A(Ta) |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323F |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |