Моя заявка (0)

SSM3K123TU,LF, 20V 4.2A 28mOhm@4V,3A 500mW 1V@1mA N Channel UFM-3 MOSFETs

SSM3K123TU,LF, 20V 4.2A 28mOhm@4V,3A 500mW 1V@1mA N Channel UFM-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062317917
Артикул
SSM3K123TU,LF
Бренд
Toshiba
Type
1PCSNChannel
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.03
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы U-MOSIII Toshiba U-MOSIII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы, которые идеально подxодят для высокоскоростной коммутации. Эти МОП-транзисторы Toshiba обладают низким сопротивлением стока к источнику и низковольтным приводом затвора.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:Toshiba
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:UFM-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:13.6 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)500mW
Pd - Power Dissipation:800 mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)13.6nC@4V
Drain Source Voltage (Vdss)20V
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.01nF@10V
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Continuous Drain Current (Id)4.2A
Id - Continuous Drain Current:4.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)1V@1mA
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:350 mV
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@4V, 3A

Техническая документация