SSM3K123TU,LF, MOSFETs UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006209535
- Артикул
- SSM3K123TU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIII Toshiba U-MOSIII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы, которые идеально подxодят для высокоскоростной коммутации. Эти МОП-транзисторы Toshiba обладают низким сопротивлением стока к источнику и низковольтным приводом затвора.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | UFM-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 13.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13.6nC@4V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.01nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4V, 3A |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +10 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 28 mOhms |