SSM3K116TU,LF, MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005509550
- Артикул
- SSM3K116TU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2 mm
- Серия
- SSM3K116
- Высота
- 0.7 mm
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор High Speed Switching
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | SSM3K116 |
| Высота | 0.7 mm |
| Ширина | 1.7 mm |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | UFM-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.2 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |