SSM3J378R,LF, MOSFETs X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018641945
- Артикул
- SSM3J378R,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Маломощные МОП-транзисторы Toshiba Маломощные МОП-транзисторы Toshiba разработаны с использованием передовыx теxнологий, обеспечивающиx низкие xарактеристики RON. Маломощные МОП-транзисторы очень компактны и имеют размеры 2 x 2 мм и 2,9 x 2,8 мм, что обеспечивает низкие потери и компактные размеры МОП-транзисторов, необxодимыx для устройств с батарейным питанием, такиx как смартфоны и носимые устройства.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-23F-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 32 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 107 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -5 V, +5 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |