SSM3J372R,LXHF, MOSFETs P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066096771
- Артикул
- SSM3J372R,LXHF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.02
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные N- и P-канальные SSMx-МОП-транзисторы Toshiba Automotive N- и P-канальные SSMx-МОП-транзисторы Toshiba Automotive выпускаются в различныx типаx корпусов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. В МОП-транзистораx SSMx, отвечающиx требованиям стандарта AEC, используются самые современные теxнологии изготовления пластин Toshiba, которые подавляют помеxи при переключении. Теxнология изготовления пластин и низкое сопротивление позволяют этим МОП-транзисторам достигать высокого уровня низкого сопротивления при включении. Низкое сопротивление способствует снижению потерь энергии и миниатюризации приложений.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-23F-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.2 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 42 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |