SSM3J35CTC,L3F, MOSFETs Small-Signal MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006218189
- Артикул
- SSM3J35CTC,L3F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.0008
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSVII Toshiba U-MOSVII МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы с P-каналом, низковольтным затвором и низким сопротивлением стока-истока. Эти устройства Toshiba имеют диапазон напряжений стока от -12 В до -20 В и постоянный ток стока от -1 А до +14 А. МОП-транзисторы U-MOSVII предлагаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.0008 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | CST3-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 250 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1 Ом |