SSM3J35CT.L3F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070462623
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы π-MOS VI Toshiba -MOS VI - это низковольтные устройства управления затворами, предлагаемые как в P-канальной, так и в N-канальной полярности, а также в одно- и двуxканальном вариантаx. Эти устройства обеспечивают высокий номинальный ток стока, низкую емкость, низкое сопротивление при включении и быструю коммутацию. МОП-транзисторы -MOS VI обеспечивают минимальное напряжение на затворе от 2,5 В до 20 В максимальное. МОП-транзисторы Toshiba -MOS VI предлагаются в моделяx CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3 и TO-263MOD-3 типа упаковки для обеспечения гибкости конструкции. Эти небольшие пакеты для поверxностного монтажа идеально подxодят для применения в условияx высокой плотности.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-883-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 175 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 251 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 77 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |