Моя заявка (0)

SSM3J35AFS,LF, 20V 250mA 1.4 @4.5V,150mA 150mW 1V 1 P-Channel SC-75(SOT-416) MOSFETs ROHS

SSM3J35AFS,LF, 20V 250mA 1.4 @4.5V,150mA 150mW 1V 1 P-Channel SC-75(SOT-416) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048412164
Артикул
SSM3J35AFS,LF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
145 ns
Rise Time:
42 ns
Вес, г
0.06
Цена по запросу
(от 17 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы U-MOSVII Toshiba U-MOSVII МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы с P-каналом, низковольтным затвором и низким сопротивлением стока-истока. Эти устройства Toshiba имеют диапазон напряжений стока от -12 В до -20 В и постоянный ток стока от -1 А до +14 А. МОП-транзисторы U-MOSVII предлагаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:145 ns
Rise Time:42 ns
Вес, г0.06
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOT-416-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Typical Turn-Off Delay Time:420 ns
Id - Continuous Drain Current:250 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:430 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:1.1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация