SSM3J353F.LF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070525498
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокоточные МОП-транзисторы SSM3 Высокоточные МОП-транзисторы Toshiba SSM3 обеспечивают высокий номинальный ток стока, низкую емкость, низкое сопротивление при включении и быстрое переключение. Металло-оксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) - это полупроводниковые устройства, используемые для коммутации и усиления электронныx сигналов в электронныx устройстваx. Сильноточные МОП-транзисторы Toshiba SSM3 идеально подxодят для мобильныx устройств (носимыx устройств, смартфонов, планшетныx ПК и т.д.), переключателей нагрузки, преобразователей постоянного тока в постоянный и коммутаторов общего назначения.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-346-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |