SSM3J352F,LF(T, Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003128760
- Артикул
- SSM3J352F,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH Si 20V 2A с 3-контактным разъемом S-Mini T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | S-Mini |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | S-MINI |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1200 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 5.1@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 210@10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 110@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |