SSM3J352F,LF, MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066096685
- Артикул
- SSM3J352F,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.02
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- MOSFET
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-2A VDSS=-20V
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | S-Mini-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 5.1 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 600 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 90 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 54 ns |
| Типичное время задержки при включении | 31 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.8 S |