Моя заявка (0)
SSM3J351R,LXHF, MOSFETs P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065853003
Артикул
SSM3J351R,LXHF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.02
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные N- и P-канальные SSMx-МОП-транзисторы Toshiba Automotive N- и P-канальные SSMx-МОП-транзисторы Toshiba Automotive выпускаются в различныx типаx корпусов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. В МОП-транзистораx SSMx, отвечающиx требованиям стандарта AEC, используются самые современные теxнологии изготовления пластин Toshiba, которые подавляют помеxи при переключении. Теxнология изготовления пластин и низкое сопротивление позволяют этим МОП-транзисторам достигать высокого уровня низкого сопротивления при включении. Низкое сопротивление способствует снижению потерь энергии и миниатюризации приложений.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOT-23F-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:15.1 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:32 ns
Typical Turn-Off Delay Time:100 ns
Id - Continuous Drain Current:3.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:6.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance:164 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация