Моя заявка (0)

Silicon P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J351R,LF(T

Silicon P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J351R,LF(T

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017552808
Артикул
SSM3J351R,LF(T
Бренд
Toshiba
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
P
Package Type
SOT-23
Цена по запросу
(от 63 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полевой транзистор Toshiba, изготовленный из кремниевого материала и имеющий P-канальный MOS-тип. Он в основном используется в системаx управления питанием и коммутации.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation1Вт
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance1.29e+008 Ω
Drain Source On State Resistance0.129Ом
Maximum Continuous Drain Current3.5 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока3.5А
Рассеиваемая Мощность1Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)4В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23F
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +10 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.129Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)164 mOhms

Техническая документация