Моя заявка (0)

SSM3J351R,LF(T, Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3.5 A, 0.129 ohm, SOT-23F, Surface Mount

SSM3J351R,LF(T, Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3.5 A, 0.129 ohm, SOT-23F, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017377276
Артикул
SSM3J351R,LF(T
Бренд
Toshiba
Pin Count
3
Вес, г
0.001
Channel Type
P Channel
Package Type
SOT-23
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Рыночный спрос на этот продукт привел к увеличению сроков поставки. Сроки поставки могут меняться. Скидки на этот продукт не распространяются.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.001
Channel TypeP Channel
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation1Вт
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance1.29e+008 Ω
Drain Source On State Resistance0.129Ом
Maximum Continuous Drain Current3.5 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока3.5А
Рассеиваемая Мощность1Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)4В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23F
Пороговое напряжение на затворе1V@1mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.129Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.129 Ом

Техническая документация