Silicon P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J338R,LF(T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014580703
- Артикул
- SSM3J338R,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P
- Package Type
- SOT-23
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевой транзистор Toshiba, изготовленный из кремниевого материала и имеющий P-канальный MOS-тип. Он в основном используется в системаx управления питанием и коммутации.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.63e+007 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 17.6mΩ@8V, 6A |