SSM3J338R,LF, 12V 6A 17.6mOhm@8V,6A 1W 1V@1mA P Channel SOT-23F MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601680
- Артикул
- SSM3J338R,LF
- Бренд
- Toshiba
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 67 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
12 В 6 А 17.6mOhm@8V,6 1 Вт 1 В при 1 мА 1 шт. канальные МОП-транзисторы SOT-23F, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23F-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 19.5 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19.5nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 65 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.4nF@6V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 383 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 17.6mΩ@8V, 6A |