SSM3J334R,LF(T, МОП-Транзистор 30 В 4 А 71 мОм при 10 В, 3 А 1 Вт 2 В при 100мкА P-канальные МОП-Транзистор SOT-23-3L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041391827
- Артикул
- SSM3J334R,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 1.8mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P
Цена по запросу
(от 30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.8mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.9 nC @-10 V nC |
| Maximum Gate Source Voltage | +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 136 mΩ |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.65…1.45 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 71 мОм |