SSM3J331R,LF(A, Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038822363
- Артикул
- SSM3J331R,LF(A
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 2573 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный МОП-транзистор P-CH Si 20V 4A с 3-контактным разъемом SOT-23F
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.8 |
| Package Length | 2.9 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23F |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | U-MOS VI |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10.4@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 630@10V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 55@4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |