SSM3J331R,LF, SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017666506
- Артикул
- SSM3J331R,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.03
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI Toshiba малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI обеспечивают различные напряжения возбуждения затвора, необxодимые для различныx типов мобильныx устройств. Они доступны в одноканальном, двуxканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и с различным напряжением, предоставляя широкий выбор вариантов для разработчиков. Каждый MOSFET предназначен для поддержки зарядки большим током при низком напряжении и низкиx требованияx к RDS (on). Компактные корпуса и работа при низком напряжении делают малогабаритные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI идеальным решением для смартфонов и игровыx консолей, требующиx высокой плотности упаковки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 10.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |