SSM3J331R, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016464251
- Артикул
- SSM3J331R
- Бренд
- Toshiba
- Case
- SOT23F
- Version
- ESD
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOT23F |
| Version | ESD |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.03 |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | sot23 |
| Drain current | -4A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 2W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 0.15Ω |
| Drain-source voltage | -20V |
| Pulsed drain current | -10A |
| Особенности | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |