SSM3J328R,LF, 20V 6A 29.8mOhm@4.5V,3A 1W 1V@1mA P Channel SOT-23-3L MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017622889
- Артикул
- SSM3J328R,LF
- Бренд
- Toshiba
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- U-MOSVI ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 20 В 6 А (Ta) 1 Вт (Ta) для поверxностного монтажа SOT-23F
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | U-MOSVI -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-3 Flat Leads |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Структура | P-Channel |
| Base Product Number | CRS08 -> |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29.8mOhm @ 3A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23F |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 29.8mО© @ 3A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1W |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 6A |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A (Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.65…1.45 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 29.8мОм |