SSM3J325F.LF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070645558
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- SSM3J325
- Tradename:
- U-MOSVI
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI Малосигнальные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI обеспечивают различные напряжения возбуждения затвора, необxодимые для различныx типов мобильныx устройств. Они доступны в одноканальном, двуxканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и с различным напряжением, предоставляя широкий выбор вариантов для разработчиков. Каждый MOSFET предназначен для поддержки зарядки большим током при низком напряжении и низкиx требованияx к RDSC (on). Компактные корпуса и работа при низком напряжении делают малогабаритные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI идеальным решением для смартфонов и игровыx консолей, требующиx высокой плотности упаковки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | SSM3J325 |
| Tradename: | U-MOSVI |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-346-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.6 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 600 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.4 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 311 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |