SSM3J168F,LXHF, MOSFETs SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018700380
- Артикул
- SSM3J168F,LXHF
- Бренд
- Toshiba
- Grade
- Automotive
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- +10V, -20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 60 В 400 мА (Ta) 600 МВт (Ta) для поверxностного монтажа S-Mini
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | 150°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 200mA, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 600mW(Ta) |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA(Ta) |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |