SSM3J168F.LF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070458142
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Серия
- SSM3J168F
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 1639 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=--0.4A VDSS=-60V
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | SSM3J168F |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-346-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 3 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 400 mA |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVI |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 31.7 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |