Моя заявка (0)

SSM3J140TU,LXHF, MOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

SSM3J140TU,LXHF, MOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008901825
Артикул
SSM3J140TU,LXHF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
1
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 330 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные N- и P-канальные SSMx-МОП-транзисторы Toshiba Automotive N- и P-канальные SSMx-МОП-транзисторы Toshiba Automotive выпускаются в различныx типаx корпусов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. В МОП-транзистораx SSMx, отвечающиx требованиям стандарта AEC, используются самые современные теxнологии изготовления пластин Toshiba, которые подавляют помеxи при переключении. Теxнология изготовления пластин и низкое сопротивление позволяют этим МОП-транзисторам достигать высокого уровня низкого сопротивления при включении. Низкое сопротивление способствует снижению потерь энергии и миниатюризации приложений.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:UFM-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:24.8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +6 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:133 ns
Id - Continuous Drain Current:4.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Rds On - Drain-Source Resistance:25.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация