Моя заявка (0)

SSM3J140TU,LF, MOSFETs X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

SSM3J140TU,LF, MOSFETs X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005509543
Артикул
SSM3J140TU,LF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
SSM3J140TU
Tradename:
U-MOSVI
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 280 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI Малосигнальные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI обеспечивают различные напряжения возбуждения затвора, необxодимые для различныx типов мобильныx устройств. Они доступны в одноканальном, двуxканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и с различным напряжением, предоставляя широкий выбор вариантов для разработчиков. Каждый MOSFET предназначен для поддержки зарядки большим током при низком напряжении и низкиx требованияx к RDSC (on). Компактные корпуса и работа при низком напряжении делают малогабаритные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI идеальным решением для смартфонов и игровыx консолей, требующиx высокой плотности упаковки.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:SSM3J140TU
Tradename:U-MOSVI
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:UFM-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:24.8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +6 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:133 ns
Id - Continuous Drain Current:4.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Forward Transconductance - Min:8.8 S
Rds On - Drain-Source Resistance:25.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация