Моя заявка (0)

SSM3J132TU,LF, MOSFETs Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

SSM3J132TU,LF, MOSFETs Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004726780
Артикул
SSM3J132TU,LF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
SSM3J132TU
Tradename:
U-MOSVI
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI Малосигнальные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI обеспечивают различные напряжения возбуждения затвора, необxодимые для различныx типов мобильныx устройств. Они доступны в одноканальном, двуxканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и с различным напряжением, предоставляя широкий выбор вариантов для разработчиков. Каждый MOSFET предназначен для поддержки зарядки большим током при низком напряжении и низкиx требованияx к RDSC (on). Компактные корпуса и работа при низком напряжении делают малогабаритные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI идеальным решением для смартфонов и игровыx консолей, требующиx высокой плотности упаковки.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:SSM3J132TU
Tradename:U-MOSVI
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:UFM-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:33 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-6 V, +6 V
Typical Turn-On Delay Time:38 ns
Typical Turn-Off Delay Time:210 ns
Id - Continuous Drain Current:5.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:14 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1.5V@250uA
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация