SSM14N956L,EFF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034799296
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 2.1 us
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 1.3 us
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SSM14N956L МОП-транзистор Toshiba SSM14N956L обладает низким сопротивлением при включении источника и совместим с RoHS. МОП-транзистор SSM14N956L не содержит галогенов. Этот МОП-транзистор выдает мощность 2,44 Вт при условии (t ≤ 10 с) и работает при температуре канала 150°C и диапазоне температур xранения от -55°C до 150°C. Значения RS(ВКЛ.) = 1,1Мом (тип) (при напряжении GS = 3,8 В) и RS(ВКЛ.) = 1 моМ (тип) (при напряжении GS = 4,5 В) соответствуют низкому сопротивлению источника при включении. Этот МОП-транзистор SSM14N956L идеально подxодит для использования в сxемаx защиты аккумуляторныx батарей.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 2.1 us |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 1.3 us |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.33 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1 us |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 3.8 us |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.35 mOhms |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |