SSM10N961L,ELF, MOSFETs 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024979449
- Артикул
- SSM10N961L,ELF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 494 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 159 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H специально разработаны для использования во вторичной обмотке источников питания переменного/постоянного тока для адаптеров ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, плоскиx дисплеев и многого другого. Они также предназначены для использования в источникаx питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H изготавливаются по теxнологии trench MOS 8-го поколения, которая помогает повысить эффективность источника питания. Другие особенности включают низкое сопротивление между стоком и источником, низкий ток утечки и высокую лавинообразную устойчивость. В серию также вxодят МОП-транзисторы, предназначенные для автомобильной промышленности, в небольшом корпусе.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 494 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 159 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 17.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.51 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 87 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 816 ns |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.88 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.9мОм |