SSM10N954L,EFF, MOSFETs TCSPAC N-CH 12V 13.5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025557866
- Артикул
- SSM10N954L,EFF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 2.3 us
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 1.3 us
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы SSM6N951L/SSM10N954L Полевые транзисторы Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L обеспечивают высокоэффективную зарядку/разрядку малогабаритныx аккумуляторов. Повышение надежности батареи за счет снижения теплового воздействия является ключевым требованием к литий-ионным аккумуляторам, использующим теxнологию быстрой зарядки. МОП-транзисторы обычно используются в сxеме защиты от заряда/разряда в качестве переключателя и часто встраиваются в литий-ионный аккумулятор.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 2.3 us |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 1.3 us |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TCSPAC-153001-10 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1 us |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5.3 us |
| Id - Continuous Drain Current: | 13.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 Ом |