Моя заявка (0)

SSF6007, 50V 130mA 230mW 7-@10V,130mA 2V@1mA P Channel SOT-23 MOSFETs

SSF6007, 50V 130mA 230mW 7-@10V,130mA 2V@1mA P Channel SOT-23 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015892159
Артикул
SSF6007
Бренд
Good-Ark Electronics
Type
P Channel
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 6,60 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

50 В 130 мА 230 МВт 7 ОМ при 10 В, 130 мА 2 В при 1 мА P-канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS

Технические параметры

TypeP Channel
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.04
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
СтруктураP-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C
Power Dissipation (Pd)230mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 130mA, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)230mW(Tc)
Supplier Device PackageSOT-23
Continuous Drain Current (Id)130mA
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45 pF @ 5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C130mA(Tc)
Пороговое напряжение на затворе2V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.23
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7Ω@10V, 130mA

Техническая документация