SS8050DTA NPN Transistor, 1.5 A, 25 V, 3-Pin TO-92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010429976
- Артикул
- SS8050DTA
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.24
- Длина
- 4.7 mm
- Серия
- SS8050
Цена по запросу
(от 55,08 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.24 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | SS8050 |
| Package Type | TO-92 |
| Высота | 4.7 mm |
| Корпус | TO-92 |
| Ширина | 3.93 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 120, 160 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 25 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Другие названия товара № | SS8050DTA_NL |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 85 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |